Winbond Electronics W979H2KBVX1E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.50 | Dhs. 11.50 |
| 15+ | Dhs. 11.13 | Dhs. 166.95 |
| 25+ | Dhs. 10.89 | Dhs. 272.25 |
| 50+ | Dhs. 10.29 | Dhs. 514.50 |
| 100+ | Dhs. 9.08 | Dhs. 908.00 |
| N+ | Dhs. 1.82 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 32 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 533 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 134-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
Mémoire SDRAM LPDDR2 haute performance Winbond W979H2KBVX1E TR
La mémoire SDRAM LPDDR2-S4B mobile Winbond W979H2KBVX1E TR de 512 Mbits est une solution haut de gamme conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 533 MHz et à la technologie d'interface avancée HSUL_12.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 533 MHz assure un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Architecture mémoire optimisée : l'organisation 16 Mo x 32 assure un accès et une gestion efficaces des données
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -25 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Faible consommation d'énergie : l'alimentation à double tension (1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
- Cycles d'écriture rapides : un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantit des performances système réactives.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SDRAM LPDDR2 mobile est spécialement conçue pour les applications exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes dans des plages de températures extrêmes. Elle est couramment utilisée dans les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications.
Qualité et conformité
Le régulateur W979H2KBVX1E TR répond aux normes strictes de la directive RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et des réglementations pour un déploiement mondial. La réputation de qualité et de fiabilité de Winbond Electronics fait de ce composant un choix idéal pour les produits à longue durée de vie.
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