Winbond Electronics W9825G6JH-6I TR

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1 Dhs. 8.17 Dhs. 8.17
15+ Dhs. 7.89 Dhs. 118.35
25+ Dhs. 7.72 Dhs. 193.00
50+ Dhs. 7.29 Dhs. 364.50
100+ Dhs. 6.44 Dhs. 644.00
N+ Dhs. 1.29 Price Inquiry
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W9825G6JH-6I TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La puce Winbond W9825G6JH-6I TR est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) de 256 Mbits haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications critiques exigeant des solutions de mémoire stables et à longue durée de vie. Avec une fréquence d'horloge de 166 MHz et une architecture d'interface parallèle 16M x 16, ce composant offre des performances constantes même dans les environnements opérationnels les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 256 Mbits : l’organisation 16 M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
  • Fonctionnement haute vitesse à 166 MHz : un temps d’accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel
  • Tension d'alimentation standard 3 V-3,6 V : Compatible avec les architectures d'alimentation des systèmes embarqués courants
  • Boîtier CMS 54-TSOP II : conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales et réglementaires pour un déploiement mondial

Applications

Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les contrôleurs industriels, les plateformes informatiques embarquées, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant des composants de mémoire authentiques à longue durée de vie, avec une disponibilité et un support technique garantis.

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Spécifications techniques complètes


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