Winbond Electronics W9864G6KH-5 TR

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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 4.46 Dhs. 4.46
15+ Dhs. 4.31 Dhs. 64.65
25+ Dhs. 4.21 Dhs. 105.25
50+ Dhs. 3.98 Dhs. 199.00
100+ Dhs. 3.51 Dhs. 351.00
N+ Dhs. 0.70 Price Inquiry
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W9864G6KH-5 TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire Winbond W9864G6KH-5 TR est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Avec une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 5 ns, cette SDRAM offre des performances exceptionnelles pour les opérations nécessitant un traitement intensif des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 4 Mbits x 16 pour une intégration système flexible
  • Large plage de fonctionnement : la tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V répond à divers besoins en énergie.
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants
  • Conception compacte : le boîtier CMS 54-TSOP II minimise l'encombrement sur le circuit imprimé.
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration transparente
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile fiable est essentielle.

Spécifications techniques

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