Infineon Technologies
2EDN8523FXTMA1
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| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 인피니언 테크놀로지스 |
| 제품 시리즈 | EiceDRIVER™ |
| 포장 | 마켓플레이스 | |
| 구동 구성 | 로우사이드 |
| 채널 유형 | 독립적인 |
| 운전자 수 | 2 |
| 게이트 타입 | MOSFET (N채널) |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 20V |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 1.2V, 1.9V |
| 전류 - 최대 출력(소스, 싱크) | 5A, 5A |
| 입력 유형 | 반전 |
| 고전압 측 - 최대값 (부트스트랩) | - |
| 상승/하강 시간(일반) | 5.3ns, 4.5ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC (0.154인치, 3.90mm 너비) |
| 공급업체 장치 패키지 | PG-DSO-8 |
| 로헤스 |
Datasheets:
2EDN8523FXTMA1
.pdf

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