IDT, Integrated Device Technology Inc
71P72804S200BQG
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| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | IDT, 통합 장치 기술 주식회사 |
| 제품 시리즈 | |
| 포장 | 대량 | |
| 메모리 유형 | 휘발성 물질 |
| 메모리 포맷 | 스람 |
| 기술 | SRAM - 동기식, QDR II |
| 메모리 크기 | 18Mbit |
| 메모리 구성 | 1M x 18 |
| 메모리 인터페이스 | 평행한 |
| 클럭 주파수 | 200MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | 7.88 ns |
| 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 165-TBGA |
| 공급업체 장치 패키지 | 165-CABGA (13x15) |
| 로헤스 |
Datasheets:
71P72804S200BQG
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