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Alliance Memory, Inc.

AS4C128M8D2A-25BINTR

AS4C128M8D2A-25BINTR

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Alliance Memory AS4C128M8D2A-25BINTR - 1Gbit DDR2 SDRAM 메모리 IC

AS4C128M8D2A-25BINTR은 Alliance Memory, Inc.에서 제조한 고성능 1Gbit DDR2 SDRAM 메모리 집적 회로입니다. 128M x 8 구성과 400MHz 클럭 주파수를 특징으로 하는 이 휘발성 DRAM 부품은 산업, 자동차, 통신 및 임베디드 애플리케이션에 안정적인 메모리 성능을 제공합니다. -40°C ~ 95°C의 작동 온도 범위를 갖춘 컴팩트한 60-TFBGA(8x10) 표면 실장형 패키지로 제공되는 이 IC는 안정적인 공급과 완벽한 제조업체 추적성이 요구되는 장기 수명 주기 설계에 적합합니다.

주요 특징:

  • 128MB x 8 메모리 구성의 1기가비트 DDR2 SDRAM
  • 400MHz 클럭 주파수, 15ns 쓰기 주기 시간
  • 산업용 온도 범위: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 60-FBGA(8x10) 표면 실장 패키지
  • RoHS 규정을 준수하는 공인 유통업체 재고 보유.
  • 제조업체의 모든 문서 및 추적 정보 제공

기술 사양:

제품 속성 부동산 가치
제조업체 얼라이언스 메모리 주식회사
제품 시리즈
포장 테이프 앤 릴(TR) | 테이프 앤 릴(TR)
메모리 유형 휘발성 물질
메모리 포맷 음주
기술 SDRAM - DDR2
메모리 크기 1기가비트
메모리 구성 128M x 8
메모리 인터페이스 평행한
클럭 주파수 400MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 15나노초
접근 시간 400 ps
전압 - 공급 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC)
등급 -
자격 -
장착 유형 표면 실장
패키지/케이스 60-TFBGA
공급업체 장치 패키지 60-FBGA (8x10)
로헤스

Datasheets:     AS4C128M8D2A-25BINTR .pdf

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