Alliance Memory, Inc.
AS4C128M8D2A-25BINTR
AS4C128M8D2A-25BINTR
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| 25+ | Dhs. 16.99 AED | Dhs. 424.75 AED |
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Alliance Memory AS4C128M8D2A-25BINTR - 1Gbit DDR2 SDRAM 메모리 IC
AS4C128M8D2A-25BINTR은 Alliance Memory, Inc.에서 제조한 고성능 1Gbit DDR2 SDRAM 메모리 집적 회로입니다. 128M x 8 구성과 400MHz 클럭 주파수를 특징으로 하는 이 휘발성 DRAM 부품은 산업, 자동차, 통신 및 임베디드 애플리케이션에 안정적인 메모리 성능을 제공합니다. -40°C ~ 95°C의 작동 온도 범위를 갖춘 컴팩트한 60-TFBGA(8x10) 표면 실장형 패키지로 제공되는 이 IC는 안정적인 공급과 완벽한 제조업체 추적성이 요구되는 장기 수명 주기 설계에 적합합니다.
주요 특징:
- 128MB x 8 메모리 구성의 1기가비트 DDR2 SDRAM
- 400MHz 클럭 주파수, 15ns 쓰기 주기 시간
- 산업용 온도 범위: -40°C ~ 95°C (TC)
- 60-FBGA(8x10) 표면 실장 패키지
- RoHS 규정을 준수하는 공인 유통업체 재고 보유.
- 제조업체의 모든 문서 및 추적 정보 제공
기술 사양:
| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 얼라이언스 메모리 주식회사 |
| 제품 시리즈 | |
| 포장 | 테이프 앤 릴(TR) | 테이프 앤 릴(TR) |
| 메모리 유형 | 휘발성 물질 |
| 메모리 포맷 | 음주 |
| 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 크기 | 1기가비트 |
| 메모리 구성 | 128M x 8 |
| 메모리 인터페이스 | 평행한 |
| 클럭 주파수 | 400MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 15나노초 |
| 접근 시간 | 400 ps |
| 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 60-TFBGA |
| 공급업체 장치 패키지 | 60-FBGA (8x10) |
| 로헤스 |
Datasheets:
AS4C128M8D2A-25BINTR
.pdf

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