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Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

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Alliance Memory AS4C64M8D2-25BANTR - 512Mbit DDR2 SDRAM 메모리 IC

Alliance Memory의 AS4C64M8D2-25BANTR 은 항공우주, 자동차, 산업 및 통신 시장의 까다로운 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 512Mbit DDR2 SDRAM 메모리 집적 회로입니다. 이 휘발성 DRAM은 64M x 8 메모리 구성과 병렬 인터페이스를 특징으로 하며 400MHz 클럭 주파수로 동작합니다.

주요 특징 및 장점

  • 고속 성능: 400MHz 클럭 주파수, 400ps 액세스 시간 및 15ns 쓰기 주기 시간
  • 넓은 작동 온도 범위: 산업 및 자동차 분야에 적용 가능 -40°C ~ 105°C(TC)
  • 소형 표면 실장 패키지: 공간 제약이 있는 설계에 적합한 60-TFBGA(8x10mm)
  • 저전압 작동: 전력 효율을 위해 1.7V ~ 1.9V의 공급 전압을 사용합니다.
  • RoHS 규정 준수: 환경 친화적이며 국제 표준을 충족합니다.

응용 프로그램

이 제품은 안정적이고 고속이며 넓은 온도 범위 지원이 필요한 임베디드 시스템, 네트워킹 장비, 산업용 컨트롤러, 자동차 전자 장치 및 통신 인프라에 이상적입니다.

공식 판매점 보증

당사는 고객의 핵심 프로그램을 지원하고 제품 노후화 위험을 완화하기 위해 모든 제조사 문서, 추적성 인증서 및 긴 제품 수명 주기를 보장하는 100% 정품 Alliance Memory 제품을 제공합니다.

기술 사양

제품 속성 부동산 가치
제조업체 얼라이언스 메모리 주식회사
제품 시리즈
포장 테이프 앤 릴(TR) | 테이프 앤 릴(TR)
메모리 유형 휘발성 물질
메모리 포맷 음주
기술 SDRAM - DDR2
메모리 크기 512Mbit
메모리 구성 64M x 8
메모리 인터페이스 평행한
클럭 주파수 400MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 15나노초
접근 시간 400 ps
전압 - 공급 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC)
등급 -
자격 -
장착 유형 표면 실장
패키지/케이스 60-TFBGA
공급업체 장치 패키지 60-FBGA (8x10)
로헤스

Datasheets:     AS4C64M8D2-25BANTR .pdf

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