Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8D2-25BANTR
AS4C64M8D2-25BANTR
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Alliance Memory AS4C64M8D2-25BANTR - 512Mbit DDR2 SDRAM 메모리 IC
Alliance Memory의 AS4C64M8D2-25BANTR 은 항공우주, 자동차, 산업 및 통신 시장의 까다로운 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 512Mbit DDR2 SDRAM 메모리 집적 회로입니다. 이 휘발성 DRAM은 64M x 8 메모리 구성과 병렬 인터페이스를 특징으로 하며 400MHz 클럭 주파수로 동작합니다.
주요 특징 및 장점
- 고속 성능: 400MHz 클럭 주파수, 400ps 액세스 시간 및 15ns 쓰기 주기 시간
- 넓은 작동 온도 범위: 산업 및 자동차 분야에 적용 가능 -40°C ~ 105°C(TC)
- 소형 표면 실장 패키지: 공간 제약이 있는 설계에 적합한 60-TFBGA(8x10mm)
- 저전압 작동: 전력 효율을 위해 1.7V ~ 1.9V의 공급 전압을 사용합니다.
- RoHS 규정 준수: 환경 친화적이며 국제 표준을 충족합니다.
응용 프로그램
이 제품은 안정적이고 고속이며 넓은 온도 범위 지원이 필요한 임베디드 시스템, 네트워킹 장비, 산업용 컨트롤러, 자동차 전자 장치 및 통신 인프라에 이상적입니다.
공식 판매점 보증
당사는 고객의 핵심 프로그램을 지원하고 제품 노후화 위험을 완화하기 위해 모든 제조사 문서, 추적성 인증서 및 긴 제품 수명 주기를 보장하는 100% 정품 Alliance Memory 제품을 제공합니다.
기술 사양
| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 얼라이언스 메모리 주식회사 |
| 제품 시리즈 | |
| 포장 | 테이프 앤 릴(TR) | 테이프 앤 릴(TR) |
| 메모리 유형 | 휘발성 물질 |
| 메모리 포맷 | 음주 |
| 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 크기 | 512Mbit |
| 메모리 구성 | 64M x 8 |
| 메모리 인터페이스 | 평행한 |
| 클럭 주파수 | 400MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 15나노초 |
| 접근 시간 | 400 ps |
| 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 60-TFBGA |
| 공급업체 장치 패키지 | 60-FBGA (8x10) |
| 로헤스 |
Datasheets:
AS4C64M8D2-25BANTR
.pdf

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