BYTe Semiconductor
BY25Q16AWSIG(T)
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| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 바이트 반도체 |
| 제품 시리즈 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 메모리 유형 | 비휘발성 |
| 메모리 포맷 | 플래시 |
| 기술 | 플래시 - 노르 |
| 메모리 크기 | 16Mbit |
| 메모리 구성 | 2M x 8 |
| 메모리 인터페이스 | SPI - 쿼드 I/O |
| 클럭 주파수 | 100MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 3ms |
| 접근 시간 | 12나노초 |
| 전압 - 공급 | 1.65V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC (0.209인치, 5.30mm 너비) |
| 공급업체 장치 패키지 | 8-SOP |
| 로헤스 |
Datasheets:
BY25Q16AWSIG(T)
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