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BYTe Semiconductor

BY25Q80AWYIG(R)

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제품 속성 부동산 가치
제조업체 바이트 반도체
제품 시리즈
포장 테이프 앤 릴(TR) |
메모리 유형 비휘발성
메모리 포맷 플래시
기술 플래시 - 노르
메모리 크기 8Mbit
메모리 구성 1M x 8
메모리 인터페이스 SPI - 쿼드 I/O
클럭 주파수 100MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 3ms
접근 시간 7나노초
전압 - 공급 1.65V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
등급 -
자격 -
장착 유형 표면 실장
패키지/케이스 8-XFDFN 노출 패드
공급업체 장치 패키지 8-USON (1.5x1.5)
로헤스

Datasheets:     BY25Q80AWYIG(R) .pdf

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