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Cypress Semiconductor Corp

CY10E484-4DC

CY10E484-4DC

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제품 속성 부동산 가치
제조업체 사이프레스 반도체 주식회사
제품 시리즈
포장 대량 |
메모리 유형 휘발성 물질
메모리 포맷 스람
기술 SRAM - 비동기식
메모리 크기 16Kbit
메모리 구성 4K x 4
메모리 인터페이스 평행한
클럭 주파수 -
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 4ns
접근 시간 4나노초
전압 - 공급 4.94V ~ 5.46V
작동 온도 0°C ~ 75°C (TA)
등급 -
자격 -
장착 유형 관통 구멍
패키지/케이스 28-CDIP (0.400", 10.16mm)
공급업체 장치 패키지 28-CDIP

Datasheets:     CY10E484-4DC .pdf

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