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Cypress Semiconductor Corp

CY14V101LA-BA45XIT

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제품 속성 부동산 가치
제조업체 사이프레스 반도체 주식회사
제품 시리즈
포장 대량 |
메모리 유형 비휘발성
메모리 포맷 엔비스램
기술 NVSRAM(비휘발성 SRAM)
메모리 크기 1Mbit
메모리 구성 128K x 8
메모리 인터페이스 평행한
클럭 주파수 -
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 45ns
접근 시간 45나노초
전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
등급 -
자격 -
장착 유형 표면 실장
패키지/케이스 48-TFBGA
공급업체 장치 패키지 48-FBGA (6x10)
로헤스

Datasheets:     CY14V101LA-BA45XIT .pdf

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