Cypress Semiconductor Corp
CY14V101LA-BA45XIT
CY14V101LA-BA45XIT
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| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 사이프레스 반도체 주식회사 |
| 제품 시리즈 | |
| 포장 | 대량 | |
| 메모리 유형 | 비휘발성 |
| 메모리 포맷 | 엔비스램 |
| 기술 | NVSRAM(비휘발성 SRAM) |
| 메모리 크기 | 1Mbit |
| 메모리 구성 | 128K x 8 |
| 메모리 인터페이스 | 평행한 |
| 클럭 주파수 | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 45ns |
| 접근 시간 | 45나노초 |
| 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 48-TFBGA |
| 공급업체 장치 패키지 | 48-FBGA (6x10) |
| 로헤스 |
Datasheets:
CY14V101LA-BA45XIT
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