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Cypress Semiconductor Corp

CY7C1061GE30-10ZSXI

CY7C1061GE30-10ZSXI

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제품 속성 부동산 가치
제조업체 사이프레스 반도체 주식회사
제품 시리즈
포장 트레이 |
메모리 유형 휘발성 물질
메모리 포맷 스람
기술 SRAM - 비동기식
메모리 크기 16Mbit
메모리 구성 1M x 16
메모리 인터페이스 평행한
클럭 주파수 -
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 10나노초
접근 시간 10나노초
전압 - 공급 2.2V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
등급 -
자격 -
장착 유형 표면 실장
패키지/케이스 54-TSOP (0.400인치, 10.16mm 너비)
공급업체 장치 패키지 54-TSOP II
로헤스

Datasheets:     CY7C1061GE30-10ZSXI .pdf

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