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Cypress Semiconductor Corp

CY7C4121KV13-600FCXC

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제품 속성 부동산 가치
제조업체 사이프레스 반도체 주식회사
제품 시리즈
포장 |
메모리 유형 휘발성 물질
메모리 포맷 스람
기술 SRAM - 동기식, QDR IV
메모리 크기 144Mbit
메모리 구성 8M x 18
메모리 인터페이스 평행한
클럭 주파수 600MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 -
전압 - 공급 1.26V ~ 1.34V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
등급 -
자격 -
장착 유형 표면 실장
패키지/케이스 361-BBGA, FCBGA
공급업체 장치 패키지 361-FCBGA (21x21)
로헤스

Datasheets:     CY7C4121KV13-600FCXC .pdf

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