Vishay Siliconix
SIC652ACD-T1-GE3
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|---|---|---|
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| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 비샤이 실리콘릭스 |
| 제품 시리즈 | VRPower® |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | 테이프 앤 릴(TR) |
| 출력 구성 | 하프 브리지 |
| 응용 프로그램 | 일반 목적 |
| 인터페이스 | 논리, PWM |
| 적재 유형 | 유도성, 용량성, 저항성 |
| 기술 | 파워 MOSFET |
| Rds On (일반) | - |
| 현재 - 출력/채널 | 55A |
| 현재 - 최대 출력 | 100A |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 전압 - 부하 | 24볼트 |
| 특징 | 부트스트랩 회로, 다이오드 에뮬레이션 |
| 고장 보호 | 과전류, 과열, 관통, UVLO |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 파워팩® MLP55-31L |
| 공급업체 장치 패키지 | 파워팩® MLP55-31L |
Datasheets:
SIC652ACD-T1-GE3
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