Texas Instruments
UC2715DP
UC2715DP
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| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 텍사스 인스트루먼트 |
| 제품 시리즈 | |
| 포장 | 마켓플레이스 | 튜브 |
| 구동 구성 | 로우사이드 |
| 채널 유형 | 동기식 |
| 운전자 수 | 2 |
| 게이트 타입 | MOSFET (N채널, P채널) |
| 전압 - 공급 | 7V ~ 20V |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| 전류 - 최대 출력(소스, 싱크) | 1A, 2A |
| 입력 유형 | 비반전 |
| 고전압 측 - 최대값 (부트스트랩) | - |
| 상승/하강 시간(일반) | 30나노초, 25나노초 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) |
| 공급업체 장치 패키지 | 16-SOIC |
| 로헤스 |
Datasheets:
UC2715DP
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