Texas Instruments
UCD7138DRST
UCD7138DRST
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| 제품 속성 | 부동산 가치 |
| 제조업체 | 텍사스 인스트루먼트 |
| 제품 시리즈 | |
| 포장 | 마켓플레이스 | 컷 테이프(CT) |
| 구동 구성 | 로우사이드 |
| 채널 유형 | 하나의 |
| 운전자 수 | 1 |
| 게이트 타입 | MOSFET (N채널) |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 18V |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 1.08V, 1.93V |
| 전류 - 최대 출력(소스, 싱크) | 4A, 6A |
| 입력 유형 | 반전 |
| 고전압 측 - 최대값 (부트스트랩) | - |
| 상승/하강 시간(일반) | 4나노초, 3.5나노초 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 등급 | - |
| 자격 | - |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 |
| 공급업체 장치 패키지 | 6-손 (3x3) |
| 로헤스 |
Datasheets:
UCD7138DRST
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